EDI是電去離子凈水技術(shù)的簡(jiǎn)稱，是一種將電滲析和離子交換相結(jié)合的脫鹽新工藝。利用混床離子交換樹脂吸附給水中的陰陽離子,同時(shí)這些被吸附的離又在直流電壓的作用下分別透過陰陽離子交換膜而被連續(xù)去除的過程，EDI超純水設(shè)備可對(duì)水進(jìn)行提純。

　　EDI超純水設(shè)備操作簡(jiǎn)便、無污染，是清潔生產(chǎn)技術(shù)，在微電子工業(yè)、電工業(yè)、醫(yī)藥工業(yè)、化工工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室等領(lǐng)域得到日趨廣泛的應(yīng)用。

　　如今，EDI超純水在電子芯片領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。芯片生產(chǎn)的難度很大，其中十分重要的一個(gè)環(huán)節(jié)就是清洗，如果不能保證芯片生產(chǎn)各個(gè)環(huán)節(jié)的清洗用水質(zhì)量，就很難保證芯片生產(chǎn)的良品率，因此芯片生產(chǎn)用水十分重要。芯片生產(chǎn)一般用超純水，而不是普通的自來水。

　　半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)和清洗半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示器、高精度電路板、光電器件等各種電子器件的時(shí)候,都需要用到電阻率為18兆歐以上的超純水,這樣的超純水幾乎不導(dǎo)電,不會(huì)影響電子產(chǎn)品的性能,同時(shí)水中幾乎不含金屬離子,不會(huì)對(duì)復(fù)雜芯片表面造成劃痕或者不可逆的影響。當(dāng)集成電路的集成度越高,線寬越窄,對(duì)水質(zhì)的要求也就越高。

　　超純水的制備工藝大體分為預(yù)處理、初級(jí)制備和拋光處理三個(gè)步驟。整個(gè)制造過程中采用的工藝技術(shù)復(fù)雜而精細(xì),不容偏差,制備難度涉及至少18個(gè)關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。

　　伴隨芯片市場(chǎng)的崛起,也為超純工藝技術(shù)企業(yè)帶來廣闊的機(jī)遇與挑戰(zhàn),高頻科技不斷探索超純水的絕對(duì)純度。專業(yè)處理工藝環(huán)節(jié)不斷提升超純水系統(tǒng)的應(yīng)用效率,不斷滿足半導(dǎo)體行業(yè)日趨提升的用水需求,并以此塑造了強(qiáng)大的行業(yè)技術(shù)壁壘,在國(guó)內(nèi)超純工藝領(lǐng)域中厚積薄發(fā),生根發(fā)芽。