國內技術取得突破，全球半導體戰爭愈演愈烈

　　經過20多年的風風雨雨，我國終于完成了從“中國制造”到“中國智造”的偉大轉變。這些變化和進步無疑值得肯定。但是，我們不能否認，在高端科技領域，與世界水平相比還有很長的距離和很大的差距。

　　然而，中國國內企業兩項核心技術的突破填補了如此巨大的差距。這是巨大的進步!更是偉大的突破!

　　比爾·蓋茨曾說，美國的供應中斷是徒勞和無益的。這只會使中國企業在逆境中取得更大的突破。現在比爾·蓋茨的話似乎正在成為現實。我國在5G射頻芯片核心技術研究方面取得了很大進展。

　　超純水系統為半導體產業添磚加瓦，守好水質關

　　幾乎所有半導體生產過程都需要超純水清洗。工件與水直接接觸，水質達不到標準，水中微量雜質會再次污染芯片，對產品的影響不言而喻。隨著半導體技術的不斷進步，半導體生產對水中污染物的要求越來越高。自20世紀60年代末美國五家公司提出半導體純水水質指標以來，半導體中的雜質每一代都減少了1/2~1/10。1983年和1990年美國測試與材料學會發布的電子水質標準已不能滿足超大規模集成電路半導體快速發展的需要。目前，ASTM已經提出了新的更嚴格的水質指標。

　　“RO+EDI+精處理混床”工藝與傳統純水處理工藝基本相同。經過嚴格的預處理后，原水進入RO反滲透膜系統，出水立即送至超純水系統。此時，出水已達到一般工業純水的要求，然后通過混床深度處理，確保出水無雜質，達到18兆歐電子超純水標準。超純水系統為半導體產業舔磚加瓦，守好水質關。